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ATMP作为辅助配位剂对HEDP体系铜电沉积行为的影响
文献摘要：
通过霍尔槽试验、电化学测试、扫描电镜分析和X射线衍射,研究了氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为辅助配位剂时对羟基乙叉二膦酸(HEDP)镀铜体系中铜电沉积行为及镀层结构的影响.结果表明,ATMP可以显著阻碍铜的电沉积,细化镀层晶粒,且具有一定的整平作用,但不会改变Cu的形核方式.ATMP主要作用在高电流密度区,适量ATMP的加入有助于拓宽光亮电流密度范围,降低铜阳极的钝化,但ATMP过量会导致高电流密度区镀层烧焦.镀液中加入9 g/L ATMP时,所得的铜镀层结晶细致均匀,平均晶粒尺寸约为37.5 nm.
文献关键词：
电镀铜;氨基三亚甲基膦酸;羟基乙叉二膦酸;辅助配位剂;电化学分析
中图分类号：
作者姓名：
喻岚;廖志祥;袁景追;张娟;王帅星;杜楠
作者机构：
中国航发贵州红林航空动力控制科技有限公司,贵州 贵阳 550009;南昌航空大学材料科学与工程学院,江西 南昌 330063;湖北三江航天江北机械工程有限公司,湖北 孝感 432100
文献出处：
引用格式：
[1]喻岚;廖志祥;袁景追;张娟;王帅星;杜楠-.ATMP作为辅助配位剂对HEDP体系铜电沉积行为的影响)[J].电镀与涂饰,2022(17):1197-1202
A类：
辅助配位剂
B类：
ATMP,HEDP,电沉积行为,霍尔,电化学测试,扫描电镜分析,氨基三亚甲基膦酸,羟基乙叉二膦酸,镀层结构,整平,平作,形核,高电流密度,光亮,铜阳极,钝化,烧焦,铜镀层,平均晶粒尺寸,电镀铜,电化学分析
AB值：
0.273427
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