典型文献
磁控溅射制备ZnO/p-Si薄膜异质结的室温气敏特性
文献摘要：
采用磁控溅射方法在p型Si衬底上制备ZnO纳米薄膜并形成异质结.在溅射气压分别为0.1,1.0,5.0 Pa时制备了不同形貌的ZnO纳米薄膜,并详细分析了ZnO薄膜的表面形貌、结晶质量对异质结I-V特性和室温气敏特性的影响.结果表明:溅射气压为5 Pa时,ZnO薄膜的结晶质量最好,异质结的气敏性能最佳.室温下,在18×10-3的乙醇气体中,当外加偏置电压为18.4 V时,其电流灵敏度最高可达617%.
文献关键词：
ZnO薄膜;异质结;室温;气敏
中图分类号：
作者姓名：
王国东;杨林林;马鸿雁;璩光明
作者机构：
河南理工大学物理与电子信息学院,河南焦作454000;河南理工大学电气工程与自动化学院,河南焦作454000;河南理工大学安全科学与工程学院,河南焦作454000
文献出处：
引用格式：
[1]王国东;杨林林;马鸿雁;璩光明-.磁控溅射制备ZnO/p-Si薄膜异质结的室温气敏特性)[J].传感器与微系统,2022(05):27-30
A类：
B类：
磁控溅射,ZnO,Si,异质结,气敏特性,衬底,纳米薄膜,溅射气压,压分,Pa,不同形貌,表面形貌,结晶质量,气敏性能,乙醇气体,外加,偏置电压
AB值：
0.295568
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
