典型文献
三体抛光单晶硅表面原子的分子动力学仿真
文献摘要：
为阐明双金刚石磨粒在三体抛光过程中的抛光机理、材料去除机理以及单晶硅原子的演变机理,研究建立了三维的三体抛光模型,利用分子动力学仿真了双磨粒抛光单晶硅的过程,通过改变两个磨粒之间的横向距离和抛光深度来分析其对温度、势能、配位数、抛光力和表面形貌的影响.仿真结果表明,抛光深度是影响温度的主要因素,磨粒之间的横向间距对系统的温度影响次之.抛光力随着两个磨粒之间横向间距增加而增加,第二个磨粒的参与使抛光力出现波动.抛光的深度对硅原子的相变和表面形貌的演变起主导作用.
文献关键词：
抛光机理;材料去除;分子动力学;表面质量;单晶硅
中图分类号：
作者姓名：
余翠兰;张钰柱
作者机构：
重庆移通学院,重庆 401520
文献出处：
引用格式：
[1]余翠兰;张钰柱-.三体抛光单晶硅表面原子的分子动力学仿真)[J].组合机床与自动化加工技术,2022(03):43-46,51
A类：
B类：
三体,单晶硅,分子动力学,动力学仿真,金刚石磨粒,光过,抛光机理,材料去除机理,演变机理,横向距离,势能,配位数,光力,表面形貌,温度影响,变起,表面质量
AB值：
0.22823
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