典型文献
单晶硅的放电加工条件与试验研究
文献摘要：
针对某类牌号的单晶硅材料在放电加工系统中无法实现放电的问题,本文提出一种单晶硅放电加工临界电导率σ的界定方法,系统性地揭示了单晶硅的电导率σ是影响放电通道击穿并形成火花放电的根本原因.结合半导体物理理论,系统性地分析了单晶硅放电加工系统中从极间电场的建立到极间等离子体放电通道的形成过程;引入阴极场致电子发射理论,建立了单晶硅放电加工系统极间电流密度J与单晶硅电导率σ的物理模型,仿真分析了临界电流密度J与单晶硅电导率σ之间的关系;结合实际加工过程对模型进行了验证,验证结果表明该模型可确定单晶硅放电加工的临界电导率,以此界定单晶硅的可加工性.
文献关键词：
放电加工;单晶硅;场致发射;等离子体通道;电导率
中图分类号：
作者姓名：
辛彬;刘巍;宋玉贵
作者机构：
西安工业大学 光电工程学院, 西安 710021
文献出处：
引用格式：
[1]辛彬;刘巍;宋玉贵-.单晶硅的放电加工条件与试验研究)[J].机械科学与技术,2022(03):421-432
A类：
极间电场
B类：
单晶硅,放电加工,加工条件,某类,牌号,硅材料,加工系统,电导率,界定方法,放电通道,击穿,火花放电,半导体物理,等离子体放电,阴极,场致电子发射,物理模型,临界电流密度,实际加工,加工过程,定单,可加工性,场致发射,等离子体通道
AB值：
0.233782
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