典型文献
基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析
文献摘要：
碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义.基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和抛光压力的4因素3水平正交CMP试验,实现200μm×200μm范围内平均粗糙度最低为0.289 nm的CMP加工.对试验结果进行均值和极差分析,探究各因素在CMP加工中的作用规律,得出pH值和磨粒质量分数对CZT晶体的CMP加工精度和去除速率影响较大,且较强的酸性条件和较大的磨粒质量分数分别有利于提高CZT晶体的化学溶解作用和机械磨削作用的结论,提出针对CZT晶片的CMP优化加工方案.通过X射线光电子能谱(XPS)表征,探究对抛光性能影响作用最大的酸度在CMP加工中所起到的化学腐蚀作用,揭示CZT晶体在CMP过程中"氧化剂氧化-酸根离子刻蚀-络合物螯合-磨粒磨削"的材料去除机制.
文献关键词：
化学机械抛光;碲锌镉晶片;正交试验;抛光液;材料去除机制
中图分类号：
作者姓名：
张乐振;张振宇;王冬;徐光宏;郜培丽;孟凡宁;赵子锋
作者机构：
潍柴动力股份有限公司 山东潍坊261061;大连理工大学高性能制造研究所,精密与特种加工教育部重点实验室 辽宁大连116024;中国空间技术研究院,北京卫星制造厂有限公司 北京100094
文献出处：
引用格式：
[1]张乐振;张振宇;王冬;徐光宏;郜培丽;孟凡宁;赵子锋-.基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析)[J].润滑与密封,2022(04):92-101
A类：
碲锌镉晶片
B类：
CMP,抛光机,机制分析,CZT,射线探测,探测器,半导体材料,探测性能,化学机械抛光,抛光液,磨粒,粒粒,粒质量,光压,内平,粗糙度,极差分析,加工精度,去除速率,酸性条件,解作,磨削,加工方案,光电子能谱,XPS,抛光性能,酸度,化学腐蚀,氧化剂,酸根离子,离子刻蚀,络合物,螯合,材料去除机制
AB值：
0.27876
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
