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三维光子集成芯片的进展与挑战(特邀)
文献摘要：
以光子为信息传输媒介的光子集成芯片,具有高带宽、高速率、高灵敏度等优点,在光通信、光互联、光学传感等领域得到了广泛的研究与应用.为了进一步提高光子集成芯片的集成度、扩展光子集成芯片的功能,在原本二维平面的光子集成芯片的基础上,通过晶圆键合、气相沉积、磁控溅射等方法,制备三维集成光子芯片.利用多层堆叠的方式,使光子集成芯片在厚度上进行拓展,在紧凑的尺寸上,实现大规模集成光子芯片的制备.本文介绍了几种三维光子集成芯片的材料平台与制备工艺,包括单晶硅(c-Si)键合、SiN-on-SOI、非晶硅(a-Si)沉积、多晶硅(p-Si)沉积和聚合物三维光子集成芯片制造平台,结合关键器件与在光互连、光通信、激光雷达等领域的应用,介绍了不同工艺平台的发展现状与挑战.
文献关键词：
光子集成芯片;三维集成;光通信;光交叉;激光雷达
中图分类号：
作者姓名：
尹悦鑫;许馨如;丁颖智;姚梦可;曾国宴;张大明
作者机构：
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,长春130012
文献出处：
引用格式：
[1]尹悦鑫;许馨如;丁颖智;姚梦可;曾国宴;张大明-.三维光子集成芯片的进展与挑战(特邀))[J].光子学报,2022(07):327-342
A类：
B类：
光子集成芯片,进展与挑战,特邀,信息传输,高带宽,高速率,高灵敏度,光通信,光互联,光学传感,集成度,晶圆键合,气相沉积,磁控溅射,三维集成,集成光子,光子芯片,堆叠,紧凑,大规模集,制备工艺,单晶硅,SiN,on,SOI,非晶硅,多晶硅,芯片制造,光互连,激光雷达,不同工艺,光交叉
AB值：
0.266223
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