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基于不同ZnSe壳层厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点光电性能
文献摘要：
磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性,在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注.本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs.当Se粉与Zn(St)2的质量比为1:15时,InP/ZnSe/ZnS QDs的荧光发射峰为522 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子效率高达86％.同时制备了基于不同ZnSe壳层厚度的QLED,并利用真空蒸发的方式去除QDs薄膜中残留的有机溶剂,避免了高温退火对QDs性能的破坏,最终得到稳定工作QLED器件,其最佳外量子效率为2.2％.
文献关键词：
磷化铟量子点;荧光量子效率;发光二极管
中图分类号：
作者姓名：
陈祥;赵浩兵;罗芷琪;胡海龙;郭太良;李福山
作者机构：
福州大学 物理与信息工程学院, 福建 福州 350108
文献出处：
引用格式：
[1]陈祥;赵浩兵;罗芷琪;胡海龙;郭太良;李福山-.基于不同ZnSe壳层厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点光电性能)[J].发光学报,2022(04):501-508
A类：
磷化铟量子点,铟量
B类：
ZnSe,InP,光电性能,QDs,重金属元素,元素和,出色,光电特性,量子点发光二极管,QLED,发光性能,St,荧光发射,半峰宽,荧光量子效率,真空蒸发,有机溶剂,高温退火,外量子效率
AB值：
0.23254
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