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掺杂(硅、锗、锡)单壁碳纳米管的第一性原理研究
文献摘要：
使用第一性原理研究了纯(5,5)单壁碳纳米管(SWCNTs)和掺杂(Si,Ge,Sn)SWCNTs的电子结构和光学性质.研究发现,与其他体系的带隙值相比,Sn掺杂体系的带隙值最小,为0.034 eV,该体系显示出了良好的半导体性能.差分电荷密度图显示掺杂后原子周围的局域性降低,说明碳原子与掺杂原子之间的键强度减弱.布居值分析表明Sn原子与C原子成键的共价性最弱.在吸收光谱中,掺杂体系的峰值均略有减小,并出现蓝移现象.此外,与未掺杂体系相比,Sn掺杂体系的吸收谱与反射谱峰值明显减小,这可允许更多的光通过涂层然后被太阳能电池吸收,使其作为增透膜材料在太阳能电池领域有广阔的应用前景.
文献关键词：
单壁碳纳米管;第一性原理;掺杂;电子结构;光学性能
中图分类号：
作者姓名：
卢学峰;王宽;崔志红
作者机构：
兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室,兰州730050;兰州理工大学材料科学与工程学院,兰州730050
文献出处：
引用格式：
[1]卢学峰;王宽;崔志红-.掺杂(硅、锗、锡)单壁碳纳米管的第一性原理研究)[J].材料导报,2022(09):22-26
A类：
B类：
单壁碳纳米管,第一性原理研究,SWCNTs,Si,Ge,Sn,电子结构和光学性质,带隙,eV,差分电荷密度,密度图,局域性,碳原子,杂原子,成键,共价性,最弱,吸收光谱,蓝移,吸收谱,谱峰,光通,太阳能电池,增透膜,膜材料,光学性能
AB值：
0.361971
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