典型文献
二维SiP2同素异构体结构预测及其电子性质的第一性原理研究
文献摘要：
本文通过基于群论和图论的晶体结构随机预测方法(RG2),搜索发现了3种新型二维SiP2同素异构体结构a-SiP2,b-SiP2,g-SiP2,并采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了它们的稳定性和电子性质.结果表明,3种新型SiP2结构在热力学、动力学及机械力学方面均具有良好稳定性.它们的电子结构具有满足光催化要求的带隙值,且带隙可通过施加应变进行有效调制.这使得3种新型SiP2异构体有望应用于纳米级光催化剂的设计与制作.研究还发现,3种新型二维SiP2同素异构体均具有较好的压电性质,其中a-SiP2和b-SiP2异构体的压电系数大于h-BN,且可与MoS2相比拟.这些新型结构将有望被应用于制备纳米机电设备以实现微纳尺度的机-电转换和电-机传感与控制.
文献关键词：
SiP2同素异构体;结构预测;电子性质;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
周嘉健;张宇文;何朝宇;欧阳滔;李金;唐超
作者机构：
湘潭大学物理与光电工程学院,湘潭 411105;湘潭大学,微纳能源材料与器件湖南省重点实验室,湘潭 411105
文献出处：
引用格式：
[1]周嘉健;张宇文;何朝宇;欧阳滔;李金;唐超-.二维SiP2同素异构体结构预测及其电子性质的第一性原理研究)[J].物理学报,2022(23):327-334
A类：
SiP2,RG2
B类：
同素异,异构体,结构预测,电子性质,第一性原理研究,群论,图论,晶体结构,基于密度,密度泛函理论,第一性原理方法,机械力学,电子结构,带隙,纳米级,光催化剂,设计与制作,压电性,压电系数,BN,MoS2,比拟,新型结构,机电设备,微纳尺度
AB值：
0.269585
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