典型文献
AlAs/InSe范德华异质结构的光学和可调谐电子特性
文献摘要：
由不同二维(2D)材料相互堆叠形成异质结构已成为目前的研究热点,使用第一性原理的计算方法探究了AlAs/InSe异质结构的几何结构、电子性能和光学性质.结果表明,AlAs/InSe异质结构具有典型的Type-II型能带排列并且拥有着1.28 eV的间接带隙.通过调节层间距或施加外部电场和应变,可以有效地改变异质结构的带隙值.有趣的是,当应用5 V/nm的电场时,异质结构实现了从Type-II向Type-I的转变.此外,与孤立单层相比,AlAs/InSe异质结构的吸光度明显提高,特别是在紫外区域.表明新型的二维AlAs/InSe异质结可以作为光电材料和紫外探测器件的有力候选者.
文献关键词：
AlAs/InSe异质结;第一性原理计算;Type-Ⅱ型能带排列;电场;应变
中图分类号：
作者姓名：
郭瑞;魏星;曹末云;张研;杨云;樊继斌;刘剑;田野;赵泽坤;段理
作者机构：
长安大学材料科学与工程学院 西安 710061;长安大学信息工程学院 西安 710061;山东大学物理学院 济南 250100;中国科学院物理研究所 北京 100190
文献出处：
引用格式：
[1]郭瑞;魏星;曹末云;张研;杨云;樊继斌;刘剑;田野;赵泽坤;段理-.AlAs/InSe范德华异质结构的光学和可调谐电子特性)[J].化学学报,2022(04):526-534
A类：
B类：
AlAs,InSe,范德华异质结,异质结构,可调谐,电子特性,2D,堆叠,方法探究,几何结构,电子性能,光学性质,Type,II,带排,eV,带隙,层间距,外部电场,有趣,吸光度,外区域,光电材料,紫外探测器,候选者,第一性原理计算
AB值：
0.301524
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