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过渡金属二硫化物/三卤化铬范德瓦耳斯异质结的反折叠能带
文献摘要：
过渡金属二硫化物MX2/三卤化铬CrX3组成的范德瓦耳斯异质结能有效操控MX2的谷极化,在能谷电子学中有广泛的应用前景.本文结合第一性原理和k投影能带反折叠方法比较研究了MoSe2/CrI3,MoSe2/CrBr3和WS2/CrBr3三种磁性范德瓦耳斯异质结的堆垛和电子结构,探索了体系谷极化产生的物理机理.计算了异质结不同堆垛的势能面,确定了稳定的堆垛构型,阐明了时间/空间反演对称破缺对体系电子结构的影响.由于轨道杂化,磁性异质结的导带情况复杂,且MoSe2/CrI3体系价带顶发生明显变化,不能与单层MX2直接对比.而借助于反折叠能带,计算清晰揭示了CrX3对MX2电子结构的影响,定量地获得了MX2的能谷劈裂,并发现层间距和应变可以有效调控能谷劈裂.当层间距减小到2.6? 时,AB堆垛的MoSe2/CrI3谷劈裂值可达到10.713 meV,是平衡结构的8.8倍,相当于施加约53 T的外磁场.通过k投影能带反折叠方法克服了异质结超胞电子结构不易分析的局限性,对其他磁性范德瓦耳斯体系的研究具有重要的借鉴意义.
文献关键词：
能谷电子学;异质结;堆垛;能带反折叠
中图分类号：
作者姓名：
邓霖湄;司君山;吴绪才;张卫兵
作者机构：
长沙理工大学物理与电子科学学院, 柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室, 长沙 410114
文献出处：
引用格式：
[1]邓霖湄;司君山;吴绪才;张卫兵-.过渡金属二硫化物/三卤化铬范德瓦耳斯异质结的反折叠能带)[J].物理学报,2022(14):383-391
A类：
CrX3,能谷电子学,能带反折叠,CrBr3,磁性异质结
B类：
过渡金属二硫化物,卤化,范德瓦耳斯异质结,MX2,操控,谷极化,第一性原理,方法比较,MoSe2,CrI3,WS2,堆垛,电子结构,物理机理,势能面,空间反演,演对,对称破缺,轨道杂化,导带,价带,借助于,算清,劈裂,层间距,有效调控,AB,meV,平衡结构,相当于
AB值：
0.234853
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