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硼烯/石墨烯异质结缺陷态电子结构的第一性原理研究
文献摘要：
采用密度泛函理论系统研究了硼烯-石墨烯异质结中缺陷态对体系电子结构特性的影响.发现缺陷态存在于石墨烯一侧时会破坏异质结结构;但缺陷态存在于硼烯一侧时异质结结构仍然会稳定存在,并且体系电子结构随缺陷态密度改变而发生明显变化:从无缺陷态时的金属特性变为多缺陷态时的半导体特性.常温下的分子动力学模拟进一步验证了相关体系的动力学稳定性.
文献关键词：
异质结;空位缺陷;半导体;密度泛函理论
中图分类号：
作者姓名：
陈文浩;马洁;刘会霞;孙启花;段海明
作者机构：
新疆大学 物理科学与技术学院,乌鲁木齐830046
文献出处：
引用格式：
[1]陈文浩;马洁;刘会霞;孙启花;段海明-.硼烯/石墨烯异质结缺陷态电子结构的第一性原理研究)[J].原子与分子物理学报,2022(01):55-62
A类：
B类：
硼烯,石墨烯,电子结构,第一性原理研究,密度泛函理论,结构特性,一侧,异质结结构,定存,缺陷态密度,无缺,多缺陷,常温下,分子动力学模拟,相关体系,动力学稳定性,空位缺陷
AB值：
0.272169
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