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一维碳纳米管/二维二硫化钼混合维度异质结的原位制备及其电荷转移性能
文献摘要：
一维(1D)材料与二维(2D)材料的结合可形成独特的混合维度异质结,其在继承2D/2D范德瓦尔斯异质结的独特物性之外,还具有丰富的堆叠构型,为进一步调控异质结的结构及性能提供了新的可操控自由度.p型1D单壁碳纳米管(SWCNT)与n型2D二硫化钼(MoS2)的结合,为调控异质结的能带结构及器件性能提供了丰富的选择.本文直接在高密度、手性窄分布的SWCNT定向阵列及无序薄膜表面原位生长MoS2,制备出高质量1DSWCNT/2DMoS2混合维度异质结.深入分析形核点的表面形貌与结构,提出了"吸附-扩散-吸附"生长机制,用于解释混合维度异质结的生长.利用拉曼光谱分析,证实SWCNT与MoS2间存在显著的电荷转移作用,载流子可在界面处快速传输,为后续基于此类1D/2D异质结的新型电子及光电器件的设计与制备提供了新思路.
文献关键词：
单壁碳纳米管;二硫化钼;维度;异质结;电荷转移
中图分类号：
作者姓名：
邹菁云;高冰;张小品;唐磊;冯思敏;金赫华;刘碧录;成会明
作者机构：
清华大学,清华伯克利-深圳学院&清华大学深圳国际研究生院,深圳盖姆石墨烯中心,广东深圳518055;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳110016
文献出处：
引用格式：
[1]邹菁云;高冰;张小品;唐磊;冯思敏;金赫华;刘碧录;成会明-.一维碳纳米管/二维二硫化钼混合维度异质结的原位制备及其电荷转移性能)[J].物理化学学报,2022(05):97-104
A类：
1DSWCNT,2DMoS2
B类：
二硫化钼,异质结,原位制备,电荷转移,转移性,范德瓦,德瓦尔,瓦尔斯,堆叠,步调,操控,单壁碳纳米管,能带结构,器件性能,接在,手性,窄分布,原位生长,形核,表面形貌,生长机制,拉曼光谱分析,移作,载流子,光电器件
AB值：
0.27151
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