典型文献
SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏陶瓷电学性能的影响
文献摘要：
采用固相烧结法制备ZnO-Pr6O11-Co2O3-Cr2O3-Er2O3-SiO2压敏陶瓷,研究了 SiO2掺杂对ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响.结果表明:SiO2具有抑制晶粒生长的作用,随着SiO2掺杂量增加,晶粒尺寸逐渐减小;SiO2掺杂量为1.0％(摩尔分数)时,ZnO压敏陶瓷的性能最好,生成的第二相物质最多,击穿场强、平均晶界电压、非线性系数、晶界电阻率和晶界势垒高度均为最大,其值分别为435.5 V/mm,1.63 V,17.5,17 400 MΩ·cm和0.37 eV,漏电流最小为1 μA;与未掺杂SiO2的ZnO压敏陶瓷相比,击穿场强和非线性系数分别提高了 3.6倍和6.6倍.
文献关键词：
氧化锌压敏陶瓷;二氧化硅掺杂;微观结构;压敏性能;阻抗性能
中图分类号：
作者姓名：
朱桥;曹文斌
作者机构：
陕西科技大学文理学院,陕西科技大学半导体材料与器件研究中心,西安710021
文献出处：
引用格式：
[1]朱桥;曹文斌-.SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏陶瓷电学性能的影响)[J].硅酸盐学报,2022(12):3206-3211
A类：
氧化锌压敏陶瓷,二氧化硅掺杂
B类：
SiO2,ZnO,Pr6O11,电学性能,固相烧结法,Co2O3,Cr2O3,Er2O3,微观形貌,阻抗特性,晶粒生长,晶粒尺寸,摩尔分数,第二相,击穿场强,非线性系数,电阻率,和晶界,晶界势垒,势垒高度,eV,漏电流,陶瓷相,压敏性能,阻抗性能
AB值：
0.293811
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