典型文献
SiO2掺杂对ZnO–Bi2O3基压敏陶瓷电学性能的影响
文献摘要：
在ZnO–Bi2O3–MnO2–Cr2O3基础上掺杂不同含量的SiO2,采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构.利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能.利用电容–电压特性法测试其晶界参数.结果表明:在频率10 kHz附近时,由于极化跟不上外电场变化,相对介电常数急速下降,同时产生相应的损耗峰.随着SiO2掺杂量的增加,损耗角正切(tanδ)先降低后升高,在掺杂量为0时最高,1.0％(摩尔分数)时最低,SiO2的掺杂明显降低了在105 Hz附近的tanδ值.非线性系数(α)随着SiO2掺杂量的增加先增加后减小,在SiO2掺杂量为1.0％时,样品α值达到43.36,晶界势垒高度φb在10 kHz时为1.98 eV,施主浓度低至2.97×1024 m–3,同时漏电流IL为0.31μA/cm2.
文献关键词：
二氧化硅;氧化锌;压敏陶瓷;晶界势垒;非线性系数;电容—电压特性法
中图分类号：
作者姓名：
刘建科;陈姣姣;曹文斌;苏锦锋;李智智;徐荣凯;刘士花
作者机构：
陕西科技大学半导体材料与器件中心,西安 710021
文献出处：
引用格式：
[1]刘建科;陈姣姣;曹文斌;苏锦锋;李智智;徐荣凯;刘士花-.SiO2掺杂对ZnO–Bi2O3基压敏陶瓷电学性能的影响)[J].硅酸盐学报,2022(09):2366-2373
A类：
B类：
SiO2,ZnO,Bi2O3,压敏陶瓷,电学性能,MnO2,Cr2O3,固相烧结法,物相组成,字源,感电,电阻测试,测试仪,电压特性,kHz,跟不上,外电场,相对介电常数,急速,损耗角正切,tan,先降,摩尔分数,非线性系数,晶界势垒,势垒高度,eV,施主,漏电流,二氧化硅,氧化锌
AB值：
0.33053
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
