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垂直腔面发射激光器DBR的生长优化
文献摘要：
基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因.采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒,从而有效降低DBR串联电阻.实验采用Al0.22Ga0.78As/Al0.9Ga0.1As作为生长DBR的两种材料,设计了 DBR各层厚度,研究了 AlGaAs材料的最佳生长温度,利用MOCVD外延技术完成了 795 nm VCSEL突变DBR与渐变DBR的生长.经过工艺制备,测得突变DBR和渐变DBR的电阻分别为6.6和5.3Ω,优化生长后的DBR电阻得到有效降低.
文献关键词：
795 nm垂直腔面发射激光器;分布布拉格反射镜;串联电阻;渐变生长;MOCVD
中图分类号：
作者姓名：
许晓芳;邓军;李建军;张令宇;任凯兵;冯媛媛;贺鑫;宋钊;聂祥
作者机构：
北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124
文献出处：
引用格式：
[1]许晓芳;邓军;李建军;张令宇;任凯兵;冯媛媛;贺鑫;宋钊;聂祥-.垂直腔面发射激光器DBR的生长优化)[J].半导体光电,2022(02):332-336
A类：
22Ga0,78As,1As,渐变生长
B类：
垂直腔面发射激光器,DBR,能带理论,分布布拉格反射镜,VCSEL,串联电阻,异质结,结界,势垒,掺杂浓度,费米能级,Al0,9Ga0,AlGaAs,MOCVD,工艺制备
AB值：
0.209071
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