典型文献
Cu1-xCoxInTe2稀磁半导体的制备及磁学、光学性质
文献摘要:
采用真空电弧熔炼技术制备Cu1-xCoxInTe2(Co元素掺杂比x=0,0.1,0.2,0.3)稀磁半导体.利用X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和紫外可见近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)分别表征样品的晶体结构、磁学性质和光学性质.研究表明:4种稀磁半导体中主相均为Cu1-x Cox InTe2,具有四方结构,空间群为I 4-2d.掺杂的Co原子与Cu原子共同占据4a(0,0,0)晶位,In原子占据4b(0,0,1/2)晶位,Te原子占据8d(x,1/4,1/8)晶位.Cu1-x Cox InTe2呈现室温铁磁性,其室温磁化遵循Langevin模型,随着x的增加,其饱和磁化强度增大.调控Co掺杂量,可以提高Cu1-x Cox InTe2稀磁半导体的光吸收带宽Eg,使其具有太阳能光伏材料的应用可能性.
文献关键词:
CuInTe2;Co掺杂;磁学性质;光学性质
中图分类号:
作者姓名:
王京南;郭永权;殷林瀚;赵兴;郭新鹏;解娜娜
作者机构:
华北电力大学能源动力与机械工程学院,北京102206
文献出处:
引用格式:
[1]王京南;郭永权;殷林瀚;赵兴;郭新鹏;解娜娜-.Cu1-xCoxInTe2稀磁半导体的制备及磁学、光学性质)[J].华南师范大学学报(自然科学版),2022(02):1-6
A类:
xCoxInTe2,InTe2,CuInTe2
B类:
Cu1,光学性质,真空电弧熔炼,元素掺杂,磁强计,VSM,可见近红外,外分,分光光度计,UV,Vis,NIR,晶体结构,磁学性质,2d,4a,4b,8d,室温铁磁性,Langevin,饱和磁化强度,光吸收,Eg,太阳能光伏,光伏材料
AB值:
0.303165
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