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中红外硅基调制器研究进展
文献摘要：
硅材料在1.1~8.5 μm有非常低的吸收损耗，因此硅基光电子学有望扩展到中红外波段。并且随着通信窗口扩展、气体分子检测、红外成像等应用需求的出现，硅基中红外波段器件研发工作的开展势在必行。在中红外波段硅基光电子器件中，硅基调制器有着举足轻重的地位：它是长波光通信链路中不可或缺的一环，还可以应用在片上传感系统中提高信噪比、实现光开关等功能。研究发现，相比于近红外波段，硅和锗材料在中红外波段有更强的自由载流子效应和热光效应，因此，基于硅基材料的中红外调制器具有独天得厚的优势。系统总结了中红外硅基调制器的发展趋势和研究现状，介绍了基于硅和锗材料的电光调制器以及热光调制器的工作原理和最新研究进展，最后对中红外硅基调制器进行了总结与展望。
文献关键词：
中红外;硅基光电子;调制器
中图分类号：
作者姓名：
牛超群;庞雅青;刘智;成步文
作者机构：
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室，北京 100083;中国科学院大学 材料科学与光电技术学院，北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]牛超群;庞雅青;刘智;成步文-.中红外硅基调制器研究进展)[J].红外与激光工程,2022(03):
A类：
硅基调制器
B类：
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AB值：
0.237808
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