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典型文献
Ti含量对TiB2-SiC-Ti材料制备和性能的影响
文献摘要:
TiB2材料由于高熔点和低原子序数成为新一代核反应堆等离子体壁材料的候选者之一.然而,单一TiB2材料难以制备和加工,因此在TiB2中加入助烧剂来优化其性能具有重要的应用价值.本论文利用放电等离子体烧结得到Ti质量分数分别为3%和6%的两种TiB2-SiC-Ti材料.材料在室温条件下进行能量60 keV,离子注量为2×1017 ions/cm2的He+辐照,辐照前后材料都进行1500℃热处理.利用能量色散光谱、拉曼光谱、掠角X射线衍射光谱、维氏硬度、划痕深度和宽度分布、扫描电子显微镜等手段表征材料在制备态、辐照后和退火下的微观结构及宏观性能.结果显示,TiB2-SiC-Ti(Ti的质量分数为3%)材料本身致密性低、耐磨性差、硬度低且抗氧化性弱.但与TiB2-SiC-Ti(Ti的质量分数为6%)材料相比,TiB2-SiC-Ti(Ti的质量分数为3%)材料更抗辐照;论文对该实验结果进行讨论,认为在3%—6%质量分数范围内,增加Ti含量有助于提升TiB2-SiC-Ti材料致密性和力学性能.
文献关键词:
TiB2-SiC-Ti材料;离子辐照;高温氧化;力学性能
作者姓名:
何晓珣;李炳生;刘瑞;张桐民;曹兴忠;陈黎明;徐帅
作者机构:
西南科技大学, 环境友好能源材料国家重点实验室, 绵阳 621010;中国科学院合肥固体物理研究所, 合肥 230000;中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000;中国科学院高能物理研究所, 北京 100049;西南科技大学, 材料与化学学院, 绵阳 621010
文献出处:
引用格式:
[1]何晓珣;李炳生;刘瑞;张桐民;曹兴忠;陈黎明;徐帅-.Ti含量对TiB2-SiC-Ti材料制备和性能的影响)[J].物理学报,2022(19):53-64
A类:
B类:
TiB2,SiC,材料制备,高熔点,原子序数,数成,核反应堆,体壁,壁材,候选者,助烧剂,本论,放电等离子体烧结,结得,keV,ions,He+,热处理,能量色散,散光,拉曼光谱,维氏硬度,划痕,退火,宏观性能,致密性,耐磨性,抗氧化性,抗辐照,离子辐照,高温氧化
AB值:
0.315804
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