典型文献
In3+掺杂Cs3Bi2I8无机非铅钙钛矿太阳电池的制备及性能
文献摘要：
采用旋涂法将制备的Cs3Bi1-xInxI9(x为0～20％)薄膜用作无机非铅钙钛矿太阳电池的光吸收层,通过成分调节实现了 In3+在Cs3Bi2I9钙钛矿材料晶格内部的可控掺杂.采用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)等对Cs3Bi2-xInxI9钙钛矿薄膜的晶体结构、光学性能和表面形貌进行表征和分析,通过测量电流密度-电压(J-V)特性曲线研究电池性能随In3+掺杂量的变化规律.研究表明,适量的In3+掺杂可明显减少Cs3Bi1I9薄膜表面缺陷,有效提高薄膜表面质量;In3+掺杂的Cs3Bi2I9钙钛矿材料禁带宽度由1.82 eV降至1.77 eV,拓宽了光谱吸收范围.当x=15％时,钙钛矿太阳电池的光电转换效率为1.02％,较掺杂前提高了 43.67％.该研究为制备高稳定性、高效率和环境友好的无机非铅Cs3Bi2I9钙钛矿太阳电池提供了新方法.
文献关键词：
钙钛矿太阳电池(PSC);Cs3Bi2I9;旋涂法;可控掺杂;无机;非铅
中图分类号：
作者姓名：
朱磊;刘松宇
作者机构：
中国矿业大学现代分析与计算中心,江苏徐州 221116;中国矿业大学材料与物理学院,江苏徐州 221116
文献出处：
引用格式：
[1]朱磊;刘松宇-.In3+掺杂Cs3Bi2I8无机非铅钙钛矿太阳电池的制备及性能)[J].微纳电子技术,2022(12):1278-1285,1342
A类：
Cs3Bi2I8,Cs3Bi1,xInxI9,可控掺杂,Cs3Bi2,Cs3Bi1I9
B类：
In3+,非铅,钙钛矿太阳电池,制备及性能,旋涂法,光吸收层,Cs3Bi2I9,钙钛矿材料,晶格,分光光度计,UV,Vis,场发射扫描电子显微镜,FESEM,钙钛矿薄膜,晶体结构,光学性能,表面形貌,电流密度,特性曲线,电池性能,表面缺陷,表面质量,禁带宽度,eV,光谱吸收,光电转换效率,高稳定性,PSC
AB值：
0.222657
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