典型文献
镀Zr高硼硅玻璃衬底上低温生长GaN薄膜研究
文献摘要：
实验采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,分别以高纯氮气(N2)和三甲基镓(TMGa)作为氮源和镓源,改变TMGa流量,在镀锆(Zr)高硼硅玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜,并利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱对不同TMGa流量下沉积的GaN薄膜样品的结晶取向、内部应力、表面形貌以及光致发光性能进行了检测.结果表明,当TMGa流量为1.6sccm时,低温沉积得到的GaN薄膜呈现高度的a轴择优取向,结晶性较好,内部应力得到了一定程度的释放,表面形貌呈现岛状生长,且岛的大小比较均匀.GaN薄膜的室温光致发光峰发生了一定程度的红移.
文献关键词：
电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积;GaN;镀Zr高硼硅玻璃衬底;低温沉积
中图分类号：
作者姓名：
王兴达;唐伟闻;秦福文;刘爱民
作者机构：
大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室 辽宁 大连 116024
文献出处：
引用格式：
[1]王兴达;唐伟闻;秦福文;刘爱民-.镀Zr高硼硅玻璃衬底上低温生长GaN薄膜研究)[J].信息记录材料,2022(03):16-20
A类：
PEMOCVD,TMGa,6sccm
B类：
Zr,高硼硅玻璃,衬底,GaN,回旋,金属有机物化学气相沉积,ECR,高纯,氮气,N2,氮源,低温沉积,电子衍射,RHEED,原子力显微镜,AFM,室温光致发光,PL,结晶取向,内部应力,表面形貌,发光性能,择优取向,结晶性,大小比较,红移
AB值：
0.284406
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