典型文献
Co纳米颗粒低温催化合成3C-SiC纳米线及其光致发光性能
文献摘要：
以膨胀石墨和硅粉为原料、Co(NO3)3·6H2O为催化剂前驱体,在流动Ar气中合成了3C-SiC纳米线.研究了反应温度、催化剂用量对合成3C-SiC粉体反应的影响.用第一性原理计算分析了Co纳米颗粒的催化机理,研究了3C-SiC纳米线的光致发光性能.结果表明:催化剂Co的引入降低了硅粉碳化反应生成SiC的开始反应温度和完全反应温度.催化剂Co的加入量为3％(质量分数)时,1573 K保温3 h反应后合成的3C-SiC纳米线的直径为50～60 nm,长度约几十微米,其生长机理主要为气–固反应.Co纳米颗粒与反应物之间的吸附作用降低了C=C键、C—O键和Si—O键的结合,从而促进了SiC的成核与生长.激发波长为254 nm时,3C-SiC纳米线的室温光致发光谱的特征峰在307 nm,该纳米线在光电子纳米材料领域有良好的应用前景.
文献关键词：
3C-碳化硅纳米线;光致发光;第一性原理计算;钴纳米颗粒催化剂;膨胀石墨
中图分类号：
作者姓名：
王慧芳;张海军;郝世明;李海生;毕玉保;姜威;柳菊荟
作者机构：
山西工程技术学院-矿区生态修复与固废资源化省市共建山西省重点实验室培育基地,山西 阳泉 045000;武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉 430081;河南科技大学物理工程学院,河南 洛阳 471003;河南科技大学高温材料研究院,河南 洛阳 471003
文献出处：
引用格式：
[1]王慧芳;张海军;郝世明;李海生;毕玉保;姜威;柳菊荟-.Co纳米颗粒低温催化合成3C-SiC纳米线及其光致发光性能)[J].硅酸盐学报,2022(09):2483-2492
A类：
钴纳米颗粒催化剂
B类：
Co,低温催化,催化合成,3C,SiC,发光性能,膨胀石墨,硅粉,NO3,6H2O,前驱体,Ar,反应温度,粉体,第一性原理计算,催化机理,碳化反应,后合成,几十微米,生长机理,反应物,吸附作用,成核与生长,激发波长,室温光致发光,光致发光谱,特征峰,光电子,纳米材料,材料领域,碳化硅纳米线
AB值：
0.275786
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