典型文献
电沉积ZnO纳米柱的光学带隙与非辐射复合
文献摘要：
为实现ZnO纳米柱阵列材料在新型纳米结构化太阳能电池中的应用,需要对纳米柱的几何形貌与光电特性进行调控.ZnO纳米柱阵列材料的制备方法为电化学沉积方法.通过在生长溶液中使用In(NO3)3和NH4 NO3,实现了对纳米柱的直径、阵列密度、柱间距、光学带隙、近带边发射、斯托克斯位移等物理性质的调控.采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、分光光度计、光致发光测试仪对样品的形貌、晶体性质、透射反射性质、光致发光性质进行测试与表征.结果表明,使用N H4 NO3将紧密排列的ZnO纳米柱阵列密度降低了51％,导致柱间距增大至超过100 nm,同时可将纳米柱的直径降低至22 nm.使用In(NO3)3使ZnO纳米柱的光学带隙展宽100 meV.通过N H4 NO3的使用可在3.41 eV至3.55 eV范围内调控带隙.由于N H4 NO3的引入,ZnO纳米柱的斯托克斯位移可降低至19 meV,表明N H4 NO3的引入能够有效地抑制纳米柱阵列中的非辐射复合.
文献关键词：
氧化锌;硝酸铵;硝酸铟;电沉积;光学带隙;非辐射复合
中图分类号：
作者姓名：
汤洋
作者机构：
国家能源集团绿色能源与建筑研究中心,北京102211;北京低碳清洁能源研究院,北京102211
文献出处：
引用格式：
[1]汤洋-.电沉积ZnO纳米柱的光学带隙与非辐射复合)[J].材料工程,2022(03):90-97
A类：
B类：
电沉积,ZnO,光学带隙,非辐射复合,纳米柱阵列,纳米结构,太阳能电池,几何形,光电特性,制备方法,电化学沉积,In,NO3,NH4,斯托克斯位移,物理性质,分光光度计,光致发光,测试仪,晶体性,反射性,发光性质,展宽,meV,内调,氧化锌,硝酸铵,硝酸铟
AB值：
0.241053
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