典型文献
光刻掩模版的低温气溶胶清洗探究
文献摘要：
介绍了CO2低温气溶胶干洗技术的机理和清洗效果.描述了基于动量传递的颗粒去除理论模型,验证了亚微米颗粒的去除效率高于较大颗粒.用Si3N4颗粒在硅片上的实验结果表明,亚微米颗粒的去除率比30μm以下的较大颗粒高10％.介绍了该技术在光刻掩模版清洗中去除各种污染颗粒的实验结果.光刻掩模版的机械修复后清洁结果表明,石英颗粒被有效去除,而不会损坏相邻图形的线条.无机污染物,如硫酸铵,通过低温气溶胶清洗去除,效率达到99％,如使用光学检测工具所见.通过多次清洗测量清洗对掩模相位和透射的影响.结果表明,在16次清洗循环中,传动比变化为0.04％,相位变化为0.37°.因此,可以使用CO2低温气溶胶可以对来自掩模版的亚微米颗粒进行非侵入性清洁.
文献关键词：
CO2气溶胶;修复后清洁;光刻掩模版;颗粒去除;相位和传输变化
中图分类号：
作者姓名：
魏晖;吕磊;熊启龙
作者机构：
合肥清溢光电有限公司,安徽 合肥 230011;中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京 100176
文献出处：
引用格式：
[1]魏晖;吕磊;熊启龙-.光刻掩模版的低温气溶胶清洗探究)[J].电子工业专用设备,2022(03):28-33
A类：
光刻掩模版,干洗技术,修复后清洁,相位和传输变化
B类：
气溶胶,清洗效果,量传,颗粒去除,亚微米颗粒,去除效率,大颗粒,Si3N4,硅片,去除率,污染颗粒,石英颗粒,坏相,线条,无机污染,硫酸铵,洗去,光学检测,检测工具,所见,环中,传动比,相位变化,非侵入性
AB值：
0.220932
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