典型文献
二阶误差反馈型失配误差整形16位500 kS/s SAR ADC
文献摘要：
为了解决高精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)中电容失配对精度的影响,设计了一种二阶误差反馈型失配误差整形(EFMES)16位精度、500 kS/s采样率、3.3 V工作电压的SAR ADC.采用二阶EFMES结构和动态元件匹配技术,降低了电容失配对ADC精度的影响.该EFMESSAR ADC采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计.在输入信号幅度为2.6 V、采样率为500 kS/s 时,该 ADC 的功耗为 8.382 mW,SNDR 为 93.67 dB,ENOB 为 15.27 位,基于 SNDR 的FoM 为 168.4 dB.
文献关键词：
逐次逼近型模数转换器;电容失配;误差反馈型失配误差整形;动态元件匹配
中图分类号：
作者姓名：
施雨达;陈群超
作者机构：
福州大学物理与信息工程学院,福州350116
文献出处：
引用格式：
[1]施雨达;陈群超-.二阶误差反馈型失配误差整形16位500 kS/s SAR ADC)[J].微电子学,2022(02):306-311
A类：
误差反馈型失配误差整形,kS,EFMES,动态元件匹配,EFMESSAR
B类：
ADC,逐次逼近型模数转换器,电容失配,采样率,工作电压,匹配技术,SMIC,CMOS,工艺设计,信号幅度,功耗,mW,SNDR,dB,ENOB,FoM
AB值：
0.185023
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