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SiC涂层石墨基座技术及产业发展研究
文献摘要：
1 碳化硅(SiC)涂层石墨基座基本情况
1.1 基本概念
SiC涂层石墨基座常用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备中支撑和加热单晶衬底的部件(图1).MOCVD设备是化合物半导体单晶衬底外延生长的研发及产业化关键设备,SiC涂层石墨基座的热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用,因此是MOCVD设备的核心关键部件.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
王玉
作者机构：
北京新材料和新能源科技发展中心
文献出处：
引用格式：
[1]王玉-.SiC涂层石墨基座技术及产业发展研究)[J].新材料产业,2022(03):58-60
A类：
石墨基座,
SiC
B类：
碳化硅,
1,金属有机物化学气相沉积,MOCVD,中支,单晶衬底,化合物半导体,外延生长,关键设备,热稳定性,热均匀性,性能参数,材料生长,关键部件
AB值：
0.258709
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