典型文献
多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现
文献摘要：
介绍了以SiO2/Si3N4/SiO2为绝缘层的夹层结构Spindt阴极并探索了两种工艺实验方法.将干法和湿法腐蚀相结合实现了侧壁崎岖的绝缘层空腔.通过精确调节绝缘层干法刻蚀时间,结合N-甲基吡咯烷酮和等离子体去胶的工艺,解决了光刻胶变性难以去除的问题.在扫描电子显微镜下观察到顶层SiO2直径3.8μm、底层SiO2直径2μm、中间层Si3N4和自对准钼栅孔直径1.1 μm、尖锥高度1.1μm的冷阴极结构形貌.研究表明,这种崎岖的侧壁能够在测试时阻断沿路放电,在大电压下能够缓解电弧放电现象,降低冷阴极的损坏.
文献关键词：
多绝缘层结构;Spindt阴极;变性光刻胶去除;微加工
中图分类号：
作者姓名：
姜琪;韩攀阳;杜婷;李兴辉;蔡军;冯进军
作者机构：
中国电子科技集团公司第十二研究所微波电真空器件国家级重点实验室,北京100015
文献出处：
引用格式：
[1]姜琪;韩攀阳;杜婷;李兴辉;蔡军;冯进军-.多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现)[J].真空电子技术,2022(04):60-66
A类：
多绝缘层结构,Spindt,变性光刻胶去除
B类：
阴极设计,SiO2,Si3N4,夹层结构,工艺实验,实验方法,湿法腐蚀,侧壁,崎岖,空腔,精确调节,干法刻蚀,吡咯烷酮,去胶,显微镜下,到顶,中间层,对准,尖锥,冷阴极,阴极结构,结构形貌,沿路,电弧放电,微加工
AB值：
0.33212
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