典型文献
SiC功率模块封装技术及展望
文献摘要：
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求.本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响,直接覆铜(DBC)的陶瓷基板中陶瓷层的面积和高度对寄生电容的影响,以及采用叠层换流技术优化寄生参数等成果;综述了双面散热结构的缓冲层厚度和形状对散热指标和应力与形变的影响;汇总了功率模块常见失效机理和解决措施,为模块的安全使用提供参考.最后探讨了先进烧结银技术的要求和关键问题,并展望了烧结封装技术和材料的发展方向.
文献关键词：
功率模块;模块封装;失效机理;双面散热;烧结封装;银烧结技术;寄生参数
中图分类号：
作者姓名：
蔡蔚;杨茂通;刘洋;李道会
作者机构：
哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,哈尔滨 150080;哈尔滨理工大学材料学院,哈尔滨 150080;上海蔚来汽车有限公司,上海 201805
文献出处：
引用格式：
[1]蔡蔚;杨茂通;刘洋;李道会-.SiC功率模块封装技术及展望)[J].汽车工程,2022(04):638-647
A类：
双面散热结构,烧结封装,银烧结技术
B类：
SiC,功率模块,模块封装,封装技术,MOSFET,集成化,高频化,高效化,金属键,键合线,线长,联数,寄生电感,DBC,陶瓷基板,陶瓷层,寄生电容,叠层,换流,技术优化,寄生参数,缓冲层,失效机理,安全使用
AB值：
0.309535
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