典型文献
基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟
文献摘要：
采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe2纳米片的场效应晶体管(WSe2-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe2纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe2-FETs的最佳电学性能.最终,基于7层WSe2纳米片的场效应晶体管表现出最优异的电学性能,室温下载流子迁移率可达93.17 cm2·V?1·s?1;在78 K低温下,载流子迁移率高达482.78 cm2·V?1·s?1.
文献关键词：
微机械剥离法;二维材料;二维过渡金属硫族化合物;载流子迁移率;开关比
中图分类号：
作者姓名：
张义超;赵付来;王宇;王亚玲;沈永涛;冯奕钰;封伟
作者机构：
天津大学材料科学与工程学院,天津300354;天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072
文献出处：
引用格式：
[1]张义超;赵付来;王宇;王亚玲;沈永涛;冯奕钰;封伟-.基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟)[J].高等学校化学学报,2022(06):166-176
A类：
二硒化钨,微机械剥离法
B类：
场效应晶体管,实验优化,理论模拟,WSe2,纳米片,FETs,介电层,退火处理,电学性能,下载,载流子迁移率,二维材料,二维过渡金属硫族化合物,开关比
AB值：
0.198711
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