典型文献
改善势能均匀性提升c面InGaN绿光激光器性能
文献摘要：
激光显示、医疗设备及量子通信迫切需求高性能GaN基绿光激光二极管(LD).研制绿光LD最大的挑战是生长高势能均匀性的InGaN/GaN多量子阱.我们采用各种光学测量手段对绿光LD结构和芯片进行了表征.在激发功率密度为7Wcm-2时,300K下光致发光半高宽为108 meV,电流密度为20A cm-2时,电致发光半高宽为ll4meV,这些研究结果表明势能均匀性得到了显著改善.同时,由变温光致发光测试得到的表征局域态分布宽度的σ值和由时间分辨光致发光测试得到的表征激子局域带尾态的E0值都很小,进一步表明势能均匀性很好.由于势能均匀性的极大改善,实现了斜率效率0.8WA-1,输出光功率可以达到1.7W的绿光LD芯片.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
田爱琴;胡磊;李暄;吴思;徐鹏;王旦;周韧林;郭炳磊;李方直;周伟;李德尧;池田昌夫;杨辉;刘建平
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]田爱琴;胡磊;李暄;吴思;徐鹏;王旦;周韧林;郭炳磊;李方直;周伟;李德尧;池田昌夫;杨辉;刘建平-.改善势能均匀性提升c面InGaN绿光激光器性能)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(02):543-546
A类：
7Wcm,ll4meV,8WA
B类：
InGaN,绿光,激光器,激光显示,医疗设备,量子通信,激光二极管,LD,高势能,多量子阱,光学测量,功率密度,300K,下光,光致发光,半高宽,电流密度,20A,电致发光,变温,试得,局域,时间分辨,激子,E0,光功率
AB值：
0.374755
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