典型文献
基于Cadence3D-IC平台的2.5D封装Interposer设计
文献摘要：
2.5D先进封装区别于普通2D封装,主要在于多了一层Silicon Interposer(硅中介层),它采用硅工艺,设计方法相比普通2D封装更为复杂.而高带宽存储(High Bandwidth Memory,HBM)接口的互连又是Interposer设计中的主要挑战,需要综合考虑性能、可实现性等多种因素.介绍了基于Cadence 3D-IC平台的Interposer设计方法,并结合HBM接口的 自动布线脚本可以快速实现Interposer设计;同时通过仿真分析确定了基于格芯65 nm三层金属硅工艺的HBM2e 3.2 Gb/s互连设计规则,权衡了性能和可实现性,又兼具成本优势.
文献关键词：
2.5D先进封装;硅中介层;高带宽存储;3D-IC
中图分类号：
作者姓名：
张成;李晴;赵佳
作者机构：
格芯半导体(上海)有限公司 中国研发中心(上海),上海201204
文献出处：
引用格式：
[1]张成;李晴;赵佳-.基于Cadence3D-IC平台的2.5D封装Interposer设计)[J].电子技术应用,2022(08):46-50,59
A类：
Cadence3D,Interposer,硅中介层,高带宽存储,HBM2e
B类：
IC,5D,先进封装,2D,Silicon,High,Bandwidth,Memory,互连,主要挑战,自动布线,线脚,脚本,快速实现,金属硅,Gb,设计规则,成本优势
AB值：
0.280613
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
