典型文献
2.5D微系统多物理场耦合仿真及优化
文献摘要：
微系统封装需要综合考虑电、热和力学性能的多物理场耦合问题.以某款2.5D微系统封装结构为研究对象,实测验证了 2.5D微系统封装仿真模型准确性,完成了关键部件-TSV转接板(Through-Silicon-Via,TSV)的电-热-力多物理场耦合仿真分析.综合分析了 TSV转接板的电性能、热性能和力学性能,仿真结果表明,初始TSV转接板结构电信号传输效率仅为73％、局部温度高达122.3℃以及受热发生的形变量为2.24um;由电-热耦合造成的结构形变使得电信号传输效率降低了 6％.结合哈默斯雷实验设计方法、遗传算法等优化理论完成了 TSV转接板结构的多物理场协同优化设计.仿真结果表明,优化后的TSV转接板插入损耗S21减小,电信号传输效率提高到80％,最高温度降低18％,最大形变减少19.6％.
文献关键词：
2.5D微系统;电-热-力多物理场耦合;优化
中图分类号：
作者姓名：
杨中磊;朱慧;周立彦;赵文月;黄卫
作者机构：
中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035;无锡中微高科电子有限公司,江苏无锡214035
文献出处：
引用格式：
[1]杨中磊;朱慧;周立彦;赵文月;黄卫-.2.5D微系统多物理场耦合仿真及优化)[J].微电子学与计算机,2022(07):121-128
A类：
24um,哈默斯雷实验设计
B类：
5D,微系统,多物理场耦合仿真,封装结构,实测验证,关键部件,TSV,转接板,Through,Silicon,Via,电性能,热性能,板结构,电信号,信号传输,传输效率,局部温度,温度高,受热,形变量,热耦合,结构形变,优化理论,场协同,协同优化设计,插入损耗,S21,效率提高,最高温度
AB值：
0.258544
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