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ALD法制备二维二硫化钼薄膜的研究现状及展望
文献摘要：
二硫化钼(M oS2)是一种典型的过渡金属硫属化合物,其二维结构表现出优异的光学性能、热电性能及光电性能,在光电器件领域具有广阔的应用前景.M oS2薄膜的带隙可通过原子层数进行调控,随层数减少其带隙呈逐渐增大趋势,当层数减至一层,将由间接带隙转为直接带隙.因此,制备层数可控的MoS2薄膜是其应用的基础.原子层沉积(ALD)是可控制备MoS2薄膜的重要方法之一,可实现在较低温度下制备均匀的薄膜,而前驱体种类、反应温度、衬底预处理和退火工艺参数等对薄膜质量均有影响.在总结二硫化钼结构及特性的基础上,综述了ALD法制备少层二硫化钼薄膜的进展,并着重探讨了影响薄膜质量的关键因素,最后对其未来发展趋势进行了展望.
文献关键词：
二维材料;二硫化钼;原子层沉积
中图分类号：
作者姓名：
常晓萌;李佳保;周启航;杨培志
作者机构：
云南师范大学能源与环境科学学院,云南昆明650500
文献出处：
引用格式：
[1]常晓萌;李佳保;周启航;杨培志-.ALD法制备二维二硫化钼薄膜的研究现状及展望)[J].云南师范大学学报（自然科学版）,2022(02):1-8
A类：
B类：
ALD,二硫化钼薄膜,过渡金属硫属化合物,二维结构,结构表现,光学性能,热电性能,光电性能,光电器件,带隙,原子层数,减至,MoS2,原子层沉积,可控制备,前驱体,反应温度,衬底,退火工艺,薄膜质量,二维材料
AB值：
0.287579
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