典型文献
电化学法制备Ga掺杂ZnO纳米柱阵列及其性能的研究
文献摘要：
为了使新型薄膜太阳电池中的ZnO纳米材料衬底具有高的载流子迁移率,提升太阳电池载流子收集率,研究了调控ZnO纳米柱阵列形貌、光学及电学性能的方法.本文采用电化学沉积法,在含有不同配比的Zn(NO3)2、NH4NO3和Ga(NO3)3电解液中制备出Ga掺杂ZnO纳米柱阵列.通过控制电解液中NH4NO3的浓度,调控包括直径、间距和阵列密度在内的ZnO纳米柱几何形貌,进而调控ZnO纳米柱阵列的光透过率以及Ga在ZnO中的掺杂比例.Ga在ZnO纳米材料中的有效掺杂,使纳米材料的光学带隙增加,结合NH4NO3的浓度变化,实现光学带隙在3.49～3.56 e V之间可调.这种性能优异的纳米材料有望在薄膜太阳电池等光电器件中获得广泛的应用.
文献关键词：
氧化锌;纳米柱;掺杂;电化学法;沉积;调控
中图分类号：
作者姓名：
郭逦达;张增光;白安琪;马丽华;彭宇峰;张建军
作者机构：
北京低碳清洁能源研究院,北京102211;晶澳太阳能科技股份有限公司,北京100060
文献出处：
引用格式：
[1]郭逦达;张增光;白安琪;马丽华;彭宇峰;张建军-.电化学法制备Ga掺杂ZnO纳米柱阵列及其性能的研究)[J].太阳能,2022(04):87-92
A类：
B类：
电化学法,Ga,ZnO,纳米柱阵列,薄膜太阳电池,纳米材料,衬底,载流子迁移率,电学性能,电化学沉积,化学沉积法,不同配比,NH4NO3,电解液,几何形,光透过率,掺杂比例,光学带隙,浓度变化,种性,光电器件,氧化锌
AB值：
0.22967
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