典型文献
"SE+PERC"单晶硅太阳电池激光掺杂区域的漏电现象研究
文献摘要：
在选择性发射极(SE)技术与钝化发射极背接触(PERC)技术相结合(即"SE+PERC")的单晶硅太阳电池技术路线中,通常采用激光技术进行局部重掺杂,即利用激光的高温特性将硅片表面磷硅玻璃(PSG)层内的磷原子推入硅片内部,形成高低结,从而提高太阳电池的光电转换效率.但是经过激光扫描后的掺杂区域表面的PSG层会被激光损伤,损伤区域在进行碱抛光时常因掩膜的保护性差而被碱溶液腐蚀,导致p-n结被破坏,造成局部严重漏电,从而影响太阳电池的整体电性能.针对"SE+PERC"单晶硅太阳电池制备过程中激光掺杂区域出现的漏电现象,分析了漏电原因,并给出了采用SE激光掺杂工艺及碱抛光工艺时的优化建议.
文献关键词：
太阳电池;选择性发射极;钝化发射极背接触;激光掺杂;碱抛光;漏电
中图分类号：
作者姓名：
刘苗;王松;何灿;陈素素;武晓燕
作者机构：
晶澳太阳能有限公司,邢台055550
文献出处：
引用格式：
[1]刘苗;王松;何灿;陈素素;武晓燕-."SE+PERC"单晶硅太阳电池激光掺杂区域的漏电现象研究)[J].太阳能,2022(11):76-80
A类：
SE+PERC,激光掺杂,选择性发射极,钝化发射极背接触,磷硅玻璃,碱抛光
B类：
单晶硅太阳电池,漏电,现象研究,技术相结合,太阳电池技术,激光技术,高温特性,硅片,PSG,推入,光电转换效率,激光扫描,激光损伤,损伤区,常因,掩膜,碱溶液,电性能,制备过程,掺杂工艺,抛光工艺,优化建议
AB值：
0.180666
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