典型文献
"PERC+SE"单晶硅太阳电池氧化工艺研究
文献摘要：
"PERC+SE"单晶硅太阳电池制备过程中,相较于传统的酸抛工艺,在碱抛光工艺之前(即氧化环节)先要制备氧化层SiO2膜作为掩膜,以保护硅片正面.目前,行业内主要有2种制备SiO2膜的方式,一种是采用管式扩散炉,另一种是采用链式氧化炉.从实际应用来看,相较于管式扩散炉,链式氧化炉的生产线兼容性更好,产能也更高;而从理论上来看,管式扩散炉比链式氧化炉制备的S i O2膜更加致密,膜层对掺杂区域的保护也更好.对于这2种设备,从制备的S i O2膜厚度,硅片氧化前、后和碱抛光后的方块电阻变化,以及制得的"PERC+选择性发射极(SE)"单晶硅太阳电池的电性能3个方面进行详细对比.结果显示:管式扩散炉与链式氧化炉制备的SiO2膜对SE激光重掺杂区域的保护效果略有差别,但对太阳电池电性能的影响较小,可忽略.因此,结合生产线兼容性及产能情况,链式氧化炉比管式扩散炉更具有推广优势.
文献关键词：
单晶硅太阳电池;选择性发射极;PERC;碱抛光;SiO2膜;掩膜
中图分类号：
作者姓名：
刘苗;张建军;张永;许志卫;李景
作者机构：
晶澳太阳能有限公司,邢台 055550
文献出处：
引用格式：
[1]刘苗;张建军;张永;许志卫;李景-."PERC+SE"单晶硅太阳电池氧化工艺研究)[J].太阳能,2022(08):70-74
A类：
PERC+SE,碱抛光,PERC+,选择性发射极
B类：
单晶硅太阳电池,氧化工艺,制备过程,抛光工艺,氧化层,SiO2,掩膜,硅片,内主,管式,扩散炉,氧化炉,生产线,兼容性,膜层,膜厚度,方块电阻,电性能,保护效果,推广优势
AB值：
0.16644
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