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宽带低附加相移可变增益放大器
文献摘要：
基于 130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明:在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5～11 GHz范围内增益平坦度小于士0.75 dB,增益控制范围为-22～10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5 dB,不同增益状态下的附加相移小于士5°,电路输出1dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.
文献关键词：
可变增益放大器;BiCMOS;附加相移;宽带
中图分类号：
作者姓名：
肖慧华;马凯学;傅海鹏;陆敏
作者机构：
天津大学微电子学院,天津,300072;中兴通讯股份有限公司,深圳,518057;移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室,深圳,518057
文献出处：
引用格式：
[1]肖慧华;马凯学;傅海鹏;陆敏-.宽带低附加相移可变增益放大器)[J].南京大学学报（自然科学版）,2022(02):345-355
A类：
低附加相移
B类：
可变增益放大器,BiCMOS,Bipolar,Complementary,Metal,Oxide,Semiconductor,超宽带,衰减器,组合结构,反馈式,偏置,增益控制,宽增益,变化范围,同增,版图,寄生参数,供电电压,GHz,增益平坦度,噪声系数,1dB,dBm,动态功耗,mW,项目需求,小可
AB值：
0.243455
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