典型文献
GaN HEMT E/F3类功率放大器温度可靠性研究
文献摘要：
为了研究温度对开关类功率放大器可靠性的影响,对GaN HEMTE/F3类功率放大器开展了一系列的温度可靠性测试.测试表明,该E/F3类功率放大器在-20～120℃范围内都工作在高效模式.随着温度的升高,其直流特性、S参数以及射频输出特性均呈现不同程度的下降.同时,电路本身及其寄生元件所消耗的能量也随之增加.因此,温度变化对E/F3类功率放大器的性能带来了显著的影响.为了扼制温度升高导致该GaN HEMT E/F3类功率放大器的退化,文中提出提高衬底掺杂浓度、减小漏源结面积、选择合适的栅极宽度以及设计合理的温度补偿电路等措施提升电路性能,该研究为E/F3开关类功率放大器的可靠性设计研究提供了重要的参考.
文献关键词：
GaN HEMT;E/F3类;温度可靠性;可靠性测试
中图分类号：
作者姓名：
林倩;贾立宁;胡单辉;陈思维;刘林盛;刘畅;刘建利
作者机构：
青海民族大学物理与电子信息工程学院,青海西宁 810007;成都理工大学计算机与网络安全学院,四川成都 610000;天津大学微电子学院,天津 300072;中兴通讯股份有限公司,陕西西安 710000
文献出处：
引用格式：
[1]林倩;贾立宁;胡单辉;陈思维;刘林盛;刘畅;刘建利-.GaN HEMT E/F3类功率放大器温度可靠性研究)[J].南京邮电大学学报（自然科学版）,2022(02):42-48
A类：
温度可靠性,HEMTE
B类：
GaN,F3,功率放大器,可靠性研究,可靠性测试,测试表明,高效模式,输出特性,寄生,扼制,衬底,掺杂浓度,栅极,温度补偿,可靠性设计
AB值：
0.189871
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