典型文献
一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计
文献摘要：
为满足宽频带射频通信接收前端低噪声放大器的设计需求,提出一种基于共发射极密勒电容的宽带匹配结构.该结构利用异质结双极性晶体管的密勒电容,将负载纳入输入匹配网络进行设计,从而实现宽带输入匹配.该结构在实现良好的低噪声性能的同时,能够有效拓展放大器的工作频带.基于0.13μm SiGe BiCM OS工艺,设计了一款宽带低噪声放大器,电路采用三级级联结构,首级采用密勒电容宽带匹配结构,可降低噪声并实现输入宽带匹配,后两级采用共基共射结构用于补偿增益.仿真结果表明,在6～30GHz频带内,低噪声放大器的增益为16.5～19.1dB,噪声系数为1.43～2.66dB,输入反射系数S11小于-11.9dB,输出反射系数S22小于-13.7dB.放大器在整个频段内无条件稳定.在1.8V供电电压下电路的直流功耗为38.7mW,整体芯片面积为0.88mm2.该低噪声放大器综合性能优良,可应用于宽带接收系统.
文献关键词：
宽带低噪声放大器;SiGe BiCMOS;噪声;阻抗匹配
中图分类号：
作者姓名：
郭斐;梁煜;张为;杨雪
作者机构：
天津大学微电子学院,天津300072
文献出处：
引用格式：
[1]郭斐;梁煜;张为;杨雪-.一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计)[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2022(06):51-57,66
A类：
异质结双极性晶体管,BiCM,66dB,88mm2
B类：
SiGe,BiCMOS,宽带低噪声放大器,宽频带,射频通信,设计需求,共发射极,密勒电容,匹配网络,噪声性能,工作频带,三级级联,级联结构,首级,两级,30GHz,1dB,噪声系数,反射系数,S11,9dB,S22,7dB,频段,无条件稳定,8V,供电电压,功耗,7mW,整体芯,性能优良,接收系统,阻抗匹配
AB值：
0.300584
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