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MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究
文献摘要：
半导体器件正不断朝高功率、高电压、大电流方向发展,随之而来的是高功率带来的发热和散热难题.现以MOSFET作为研究对象,对瞬态热阻进行测量与分析,研究MOSFET瞬态热阻在不同栅极电压下的变化规律.实验结果表明,MOSFET瞬态热阻随栅极电压VGS绝对值的增大而减小,但对于不同的器件,热阻减小的幅度不同.通过分析得到引起上述现象的原因在于,当栅极电压变化时,沟道和漂移区的物理尺寸发生变化,从而对热流的扩散长度产生影响,改变了通道的导通电阻分布,并且导电通道内的峰值温度点会发生变化.
文献关键词：
MOSFET;瞬态脉冲热阻;栅极电压;瞬态双界面法
中图分类号：
作者姓名：
刘超群
作者机构：
合肥工业大学,安徽合肥230009
文献出处：
引用格式：
[1]刘超群-.MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究)[J].机电信息,2022(13):1-4
A类：
瞬态脉冲热阻,瞬态双界面法
B类：
MOSFET,半导体器件,高功率,高电压,大电流,电流方向,随之而来,散热,栅极电压,VGS,电压变化,沟道,漂移区,热流,导通电阻,导电通道,峰值温度
AB值：
0.280263
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