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第三代半导体材料专利分析
文献摘要：
本文通过对第三代半导体材料中的碳化硅、氮化镓进行专利分析,对第三代半导体材料及其制造工艺进行全球及国内专利申请量、专利申请人分析,并从专利角度给出国内第三代半导体材料产业的发展建议.
文献关键词：
第三代半导体;专利;分析
中图分类号：
作者姓名：
张帆
作者机构：
广东省知识产权保护中心 广东 广州 510670
文献出处：
引用格式：
[1]张帆-.第三代半导体材料专利分析)[J].科学与信息化,2022(21):125-127
A类：
B类：
第三代半导体,半导体材料,专利分析,碳化硅,氮化镓,制造工艺,专利申请量,专利申请人
AB值：
0.194606
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