典型文献
2H α-In2Se3铁电体中极序工程控制的光电流和多态存储器
文献摘要：
控制铁电材料的极序可以丰富其特性和功能的多样性,为设计新型电子和光电子器件提供新的机会.本文报道了一种基于二维(2D)范德瓦尔斯(vdW)层状铁电材料2H α-In2Se3的面内多态存储器件.通过施加面内电场调控铁电α-In2Se3层的极序,实现了可以相互切换的三种电阻态,其具有快的切换速度、良好的耐久性和保持性.值得注意的是,中间阻态(MRS)和低阻态(LRS)之间可以通过比其他基于2D铁电材料的存储器小1-2个数量级的超低电场来实现可逆切换.此外,还发现这三种不同的极序态表现出了特有的光响应.以上结果表明,α-In2Se3在非易失性高密度存储器和新型光电器件中具有很大的应用潜力.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
吕宝华;薛武红;严志;杨瑞龙;吴昊;王鹏;张钰樱;候佳妮;朱文光;许小红
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]吕宝华;薛武红;严志;杨瑞龙;吴昊;王鹏;张钰樱;候佳妮;朱文光;许小红-.2H α-In2Se3铁电体中极序工程控制的光电流和多态存储器)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(06):1639-1645
A类：
B类：
2H,In2Se3,铁电体,工程控制,光电流,存储器,制铁,铁电材料,光电子器件,2D,范德瓦,德瓦尔,瓦尔斯,vdW,层状,内电场,电场调控,换速,耐久性,值得注意,MRS,低阻,LRS,数量级,可逆切换,光响应,非易失性,光电器件
AB值：
0.4464
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
