典型文献
影响VGF法GaAs-Si单晶成品率的因素
文献摘要：
阐述了现有VGF法GaAs-Si单晶生长过程中影响晶体成品率的各种因素.实验过程利用单晶生长炉进行生产出4英寸GaAs-Si单晶,使用磨床除去晶棒表面氧化层,再用氢氧化铵、过氧化氢和纯水按2:1:1浸泡,纯水冲洗干净,用纸巾擦干晶棒表面.通过对晶体外观检测颜色差异性,用Hall测试仪检测晶体电性能、电子显微镜查看EPD等,判断砷化镓单晶的成品率及存在的缺陷问题.通过讨论了坩埚形状,坩埚质量,坩埚烘烤,GaAa原料清洗效果、石英管质量、晶体生长速度、生长温度、环境湿度和环境杂质9种因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF砷化镓单晶生长成品率中的关键问题.
文献关键词：
成品率;砷化镓;单晶生长;VGF生长法;孪晶
中图分类号：
作者姓名：
王金灵;罗小龙
作者机构：
广东先导微电子科技有限公司,广东 清远 511517;国家稀散金属工程技术研究中心 广东先导稀材股份有限公司,广东 清远 511517
文献出处：
引用格式：
[1]王金灵;罗小龙-.影响VGF法GaAs-Si单晶成品率的因素)[J].广东化工,2022(23):21-23
A类：
GaAa
B类：
VGF,GaAs,Si,成品率,单晶生长,生长过程,中影,各种因素,英寸,磨床,除去,晶棒,表面氧化,氧化层,用氢,氢氧化铵,纯水,水冲洗,干净,用纸,纸巾,擦干,外观检测,色差,Hall,测试仪,电性能,查看,EPD,砷化镓单晶,缺陷问题,坩埚质量,烘烤,清洗效果,石英管,晶体生长,生长速度,环境湿度,基本解,长成,长法,孪晶
AB值：
0.424341
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
