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弱C轴择优AlN薄膜晶体测温技术研究
文献摘要：
采用中频反应磁控溅射法,使氧化铝陶瓷基片上沉积了弱C轴择优的AlN薄膜.通过真空退火的方式,研究了 AlN薄膜(002)晶面衍射峰晶格参数2θ随退火温度和退火时间的变化规律.采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构.研究发现,AlN薄膜的晶格参数2θ随退火温度的升高及退火时间的累积呈单调增大趋势.利用MATLAB软件线性拟合晶格参数2θ与退火温度和退火时间得出温度判读算法公式,在400～1000℃范围内,温度判读误差可以控制在7％以内.并利用MATLAB编写了温度判读软件,实现了温度的可视化判读.
文献关键词：
磁控溅射;弱C轴择优AlN薄膜;2θ;晶体测温;判读软件
中图分类号：
作者姓名：
董玲;李杨;吕静雯;蒋洪川;张万里
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 611731;西北工业大学动力与能源学院,陕西西安 710129
文献出处：
引用格式：
[1]董玲;李杨;吕静雯;蒋洪川;张万里-.弱C轴择优AlN薄膜晶体测温技术研究)[J].测控技术,2022(05):33-37
A类：
B类：
择优,AlN,晶体测温,测温技术,中频,反应磁控溅射,磁控溅射法,氧化铝陶瓷,陶瓷基片,真空退火,晶面,晶格参数,退火温度,退火时间,仪表,晶体结构,调增,线性拟合,差可,判读软件
AB值：
0.284648
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