典型文献
功率模块封装键合线的通流能力:模型与实证
文献摘要：
与Si芯片相比,SiC芯片具有更高的电流密度、结-壳热阻和工作结温,以及更少的芯片面积、键合面积和并联键合线,导致键合线的电-热应力急剧增加,对SiC功率模块的安全可靠运行,面临着严峻挑战,因此急需掌握功率模块封装键合线的通流能力极限.从电流密度和工作结温两方面,该文厘清SiC功率模块封装键合线的技术问题,基于键合线的电-热耦合模型,计及持续电流和脉冲电流的运行工况,考虑单根键合线和多根键合线并联的影响,建立定量描述键合线通流能力的数学模型,针对多种常用直径的键合线,采用大量的仿真和实验对比研究,验证了模型及其方法的有效性和正确性,发现并联键合线的电流退额效应,为SiC功率模块的封装键合线设计,提供基础理论和技术方法指导.
文献关键词：
SiC功率模块;键合线封装;通流能力;模型与实证
中图分类号：
作者姓名：
艾盛祥;曾正;王亮;孙鹏;张嘉伟
作者机构：
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆 400044
文献出处：
引用格式：
[1]艾盛祥;曾正;王亮;孙鹏;张嘉伟-.功率模块封装键合线的通流能力:模型与实证)[J].电工技术学报,2022(20):5227-5240
A类：
键合线封装
B类：
功率模块,模块封装,通流能力,模型与实证,SiC,电流密度,热阻,结温,合面,热应力,可靠运行,热耦合,耦合模型,持续电流,脉冲电流,运行工况,单根,根键,多根,立定,实验对比,方法指导
AB值：
0.213805
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