典型文献
基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器
文献摘要：
报道了基于梯度能带结构的高速室温中波红外HgCdTe器件,器件设计为n-on-p同质结结构,在300 K的零偏压条件下达到了1.33 ns(750 MHz)的总的响应时间,相对于非制冷的碲镉汞器件和工作于高偏压下的碲镉汞APD器件响应速度有所提高.基于一维模型的分析表明,吸收层中的组分梯度可以形成内置电场并改变了载流子的输运特性,该模型由不同组分梯度的HgCdTe器件的实验对比验证.因此,此项工作优化了高速HgCdTe中波红外探测器的设计,并为设计超快中波红外光电探测器提供了一种可行的思路.
文献关键词：
碲镉汞;高速;中波红外;组分梯度
中图分类号：
作者姓名：
桑茂盛;徐国庆;乔辉;李向阳
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]桑茂盛;徐国庆;乔辉;李向阳-.基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器)[J].红外与毫米波学报,2022(06):972-979
A类：
碲镉汞器件
B类：
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AB值：
0.34599
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