典型文献
MPCVD二维扩大生长单晶金刚石
文献摘要：
在MPCVD单晶金刚石同质外延生长中,为实现对等离子体的调控,进而改善单晶金刚石二维扩大生长中表面形貌的均匀性,在单晶金刚石周围放置一中间为方孔的圆形衬环即约束环.结合发射光谱、表面形貌、白光干涉测试及拉曼光谱表征结果研究了约束环的尺寸对金刚石均匀性、质量及生长速率的影响.结果表明:在其他沉积参数相同的条件下,增大约束环的直径会降低等离子体中C2基团的浓度,从而降低单晶金刚石的生长速率,但有利于获得高质量的生长面形貌.当约束环的直径从10mm增加到14mm时,单晶金刚石的生长速率由10.4 μm/h减小到6.4μm/h,单晶生长面上的多晶及丘包状缺陷被完全抑制,拉曼光谱中位于1460 cm-1附近的波包基本消失,单晶质量显著提高.采用直径14mm的约束环,用同一HPHT种晶的上下两面分别进行二维扩大生长实验,两个面的尺寸分别由3 mm×3 mm扩大至3.82mm×3.89 mm及3.97 mm×4.07 mm,适当的约束环设置有利于单晶金刚石的侧向外延.
文献关键词：
化学气相沉积;单晶金刚石;白光干涉;表面形貌
中图分类号：
作者姓名：
高登;马志斌
作者机构：
武汉工程大学材料科学与工程学院等离子体化学与新材料湖北省重点实验室 武汉430073
文献出处：
引用格式：
[1]高登;马志斌-.MPCVD二维扩大生长单晶金刚石)[J].真空科学与技术学报,2022(07):541-546
A类：
B类：
MPCVD,单晶金刚石,同质外延生长,表面形貌,方孔,发射光谱,白光干涉,拉曼光谱,光谱表征,结果研究,生长速率,C2,基团,生长面,10mm,14mm,单晶生长,多晶,波包,HPHT,两面分,生长实验,82mm,侧向,化学气相沉积
AB值：
0.222016
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
