典型文献
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
文献摘要：
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境).从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制.200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理.在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段.计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同.对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致.
文献关键词：
光伏;铸造单晶硅;光致衰减;热辅助光诱导衰减;载流子寿命;缺陷
中图分类号：
作者姓名：
程尚之;周春兰;王文静
作者机构：
中国科学院电工研究所太阳能光伏与热利用重点实验室,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]程尚之;周春兰;王文静-.p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析)[J].太阳能学报,2022(11):14-19
A类：
铸造单晶硅,LeTID,热辅助光诱导衰减,光诱导衰减,suns
B类：
硅光,光注入,LID,机制分析,光致衰减,太阳电池,少子寿命,衰减机制,先下,再生处理,无光,慢速,快速衰减,带隙,空穴,俘获截面,直拉,Cz,Si,BO,多晶硅,mc,载流子寿命
AB值：
0.22936
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