典型文献
石墨舟卡点处硅片及单晶硅太阳电池品质异常的研究
文献摘要：
在太阳电池制备过程中,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺对硅片背面镀膜是其重要工序之一,但石墨舟卡点处的硅片在镀膜后常出现瑕疵,且制备的太阳电池进行电致发光(EL)测试时石墨舟卡点处存在EL发黑的情况,严重影响太阳电池的品质.基于此,以利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时出现的石墨舟卡点处硅片瑕疵及单晶硅太阳电池EL发黑的异常现象为研究对象,分析了此种PECVD设备镀膜时,射频电流、石墨舟卡点形状及石墨舟清洗液配方对石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的影响,并提出了解决方案.结果表明:利用二合一管式PECVD设备进行硅片背面镀膜时,采用低射频电流、石墨舟采用与硅片接触面积大的卡点形状、石墨舟清洗液配方选择单纯的氢氟酸溶液,能有效解决石墨舟卡点处硅片和单晶硅太阳电池品质异常的情况,显著提升硅片使用该PECVD设备镀膜时的品质及太阳电池良品率.
文献关键词：
二合一;管式PECVD设备;镀膜;石墨舟卡点处;硅片;太阳电池;品质异常
中图分类号：
作者姓名：
张福庆;王贵梅;孙晓凯;赵鹏飞;曹占傲
作者机构：
晶澳太阳能有限公司,邢台 055550
文献出处：
引用格式：
[1]张福庆;王贵梅;孙晓凯;赵鹏飞;曹占傲-.石墨舟卡点处硅片及单晶硅太阳电池品质异常的研究)[J].太阳能,2022(06):97-102
A类：
石墨舟卡点处
B类：
硅片,单晶硅太阳电池,品质异常,制备过程,等离子增强化学气相沉积,PECVD,背面,镀膜,瑕疵,电致发光,EL,发黑,二合一,一管,管式,异常现象,射频电流,清洗液,低射,接触面积,氢氟酸,酸溶液,良品率
AB值：
0.145553
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