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低温低压氧化工艺对PERC单晶硅太阳电池性能影响的研究
文献摘要：
以采用低温低压氧化工艺的P E R C单晶硅太阳电池为研究对象，将在(600～700 ℃低温段、200 mbar低压条件下制备的二氧化硅层作为PERC单晶硅太阳电池发射极表面的钝化层，并对该种太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池的性能进行测试及对比。测试结果显示：采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池相比，光电转换效率可提高0.64%，方块电阻可增加8.3 ?/□，少子寿命可提高59.76 μs，开路电压和短路电流可分别提高0.01080 V和0.13 A。由此可知，低温低压氧化工艺是提高PERC单晶硅太阳电池光电转换效率的有效途径。以期可为更高效PERC单晶硅太阳电池的制备提供参考。
文献关键词：
PERC单晶硅太阳电池;低温低压;氧化工艺;钝化层;二氧化硅
中图分类号：
作者姓名：
左克祥;王安;张晋阳;钱金忠;李永田;杜东亚;凡金星
作者机构：
国家能源集团常州发电有限公司,常州 213031;常州天合智慧能源工程有限公司,常州 213031;天合光能股份有限公司光伏科学与技术国家重点实验室,常州 213031
文献出处：
引用格式：
[1]左克祥;王安;张晋阳;钱金忠;李永田;杜东亚;凡金星-.低温低压氧化工艺对PERC单晶硅太阳电池性能影响的研究
)[J].太阳能,2022(10):68-73
A类：
B类：
低温低压,低压氧,氧化工艺,PERC,单晶硅太阳电池,电池性能,低温段,mbar,压条,二氧化硅,发射极,钝化层,该种,光电转换效率,方块电阻,少子寿命,开路电压,短路电流,由此可知
AB值：
0.151382
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